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產(chǎn)品資料
產(chǎn)品[

GDS/KDY-1A便攜式電阻率測試儀/方阻測試儀(成套) GDSKDT-1 B探頭

]資料
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產(chǎn)品名稱: GDS/KDY-1A便攜式電阻率測試儀/方阻測試儀(成套) GDSKDT-1 B探頭
產(chǎn)品型號: GDS/KDY-1A
產(chǎn)品展商: 中慧
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簡單介紹

1、半導體材料電阻率的及標準測試方法。 2、測量厚度大于4倍探針間距的硅晶體,也可測量薄硅片電阻率及方阻。 3、電阻率測量范圍復蓋常用的區(qū)段:0.01—199.9Ω·cm 。 方塊電阻測量范圍復蓋常用的區(qū)段:0.1—1999Ω/□。

GDS/KDY-1A便攜式電阻率測試儀/方阻測試儀(成套) GDSKDT-1 B探頭

的詳細介紹
便攜式電阻率測試儀/方阻測試儀(成套) GDSKDT-1 B探頭 
型號:GDS/KDY-1A
貨號:ZH420
產(chǎn)品簡介 
  
1、半導體材料電阻率的及標準測試方法。
2、測量厚度大于4倍探針間距的硅晶體,也可測量薄硅片電阻率及方阻。
3、電阻率測量范圍復蓋常用的區(qū)段:0.01—199.9Ω·cm 。
     方塊電阻測量范圍復蓋常用的區(qū)段:0.1—1999Ω/□。
4、配置高精度恒流源,測量電流穩(wěn)定,分兩檔:1mA、10mA,每檔**在大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)(1mA:0.1—1mA;10mA:1mA—10mA)。
5、測量精度高:電器測量精度優(yōu)于0.3%;
     整機測量誤差:測量1-100Ω·cm的標準硅片誤差≤±3%。
     測量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的標準硅片誤差≤±5%。
6、重量輕,約2.5kg;體積?。?40×210×100(mm)。
7、可配用多種探針間距的四探針頭:1.00mm、1.59mm。 
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